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電子行業(yè)專(zhuān)題：AI填料 看好材料升級(jí)機(jī)遇
2025/10/14
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主要觀點(diǎn)： AI填料，看好材料升級(jí)機(jī)遇
AI填料：下游AI快速發(fā)展，驅(qū)動(dòng)功能填料電子級(jí)高端應(yīng)用
球形硅微粉、球形氧化鋁依托優(yōu)異性能，是半導(dǎo)體電子粉體核心材料。硅微粉，廣泛運(yùn)用于覆銅板、芯片封裝等領(lǐng)域；球形硅微粉由于其高填充性，能夠顯著降低覆銅板和環(huán)氧塑封料的線性膨脹系數(shù)，提升電子產(chǎn)品可靠性。高導(dǎo)熱球形氧化鋁，EMC等熱界面關(guān)鍵填料，憑借較高導(dǎo)熱性等，成為電子封裝、導(dǎo)熱散熱領(lǐng)域主流導(dǎo)熱粉體。
AI大模型迅猛發(fā)展，對(duì)新一代高頻高速、芯片封裝用的上游填料性能提出更高要求。新一代高頻高速覆銅板方面，為保證更低介質(zhì)損耗，超純球形二氧化硅正成為行業(yè)主流選擇；芯片封裝方面，Low-α球硅及l(fā)ow-α球鋁，HBM封裝用環(huán)氧塑封料的主要填料。
高速覆銅板：高階CCL加速滲透，高性能球硅量?jī)r(jià)齊升。
性能提升——AI服務(wù)器更高性能，驅(qū)動(dòng)PCB/CCL及填料升級(jí)。更高的服務(wù)器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)PCB有著更高的性能要求。高頻高速需要PCB板采用Very Low Loss或Ultra LowLoss等級(jí)覆銅板材料制作，通常要求更低的低介常數(shù)（Dk）和低介質(zhì)損耗因子（Df）。隨著升級(jí)至M7及以上新一代高速覆銅板，對(duì)功能填料指標(biāo)要求也更為嚴(yán)格。
用量增加——PCB板層數(shù)增加，CCL功能填料比例逐年增大。隨著PCIe協(xié)議升級(jí)，所需PCB板層數(shù)明顯增加。從PCIe3.0對(duì)應(yīng)8~12層，逐步增加至PCIe5.0對(duì)應(yīng)16-22層，高性能服務(wù)器對(duì)高速覆銅板的需求不斷擴(kuò)大。下游終端設(shè)備性能升級(jí)，CCL中高性能球形硅微粉填充比例逐年擴(kuò)大至40%以上，帶動(dòng)無(wú)機(jī)功能填料需求快速上升。
價(jià)值量增長(zhǎng)——高階CCL加速滲透，高性能球硅占比逐年擴(kuò)大。高階CCL對(duì)應(yīng)更高單價(jià)的高端球形硅微粉，日本同行業(yè)企業(yè)銷(xiāo)售的高端球形硅微粉售價(jià)普遍每噸在幾萬(wàn)至十幾萬(wàn)元以上。同時(shí)，全球Super Ultra Low Loss等級(jí)高速覆銅板正在加速滲透。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，2021年在覆銅板用硅微粉市場(chǎng)中，高性能球形硅微粉市場(chǎng)規(guī)模占比超過(guò)44%，并預(yù)計(jì)逐年擴(kuò)大。未來(lái)隨著ASIC服務(wù)器+GPU拉動(dòng)，會(huì)進(jìn)一步促進(jìn)PCB價(jià)值量的增長(zhǎng)，并推升CCL以及高端填料的產(chǎn)值。
HBM：Low-α球鋁，HBM封裝關(guān)鍵材料。
AI時(shí)代，Low-α球鋁是HBM封裝中的關(guān)鍵填料。半導(dǎo)體器件制造和封裝材料中存在的鈾(U)、釷(Th) 等雜質(zhì)具有天然放射性，其釋放的α例子是造成芯片發(fā)生軟失效的主要來(lái)源，尤其是HBM這種高度集成芯片，更容易受到α例子的干擾。Low-α射線球形氧化鋁，能夠預(yù)防由α射線引發(fā)的操作故障，通常用做HBM的封裝填料。
HBM市場(chǎng)快速增長(zhǎng)， 推動(dòng)Low-α球鋁需求提升。Low-α球鋁和球硅占GMC重量的80%以上，隨散熱要求越高，Low-α球鋁占比越高。根據(jù)Yole的預(yù)測(cè)，HBM的總市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的27億美元增長(zhǎng)至2029年的377億美元，年復(fù)合增速將達(dá)到38%，2030年有望突破1000億美元，將帶動(dòng)Low-α球鋁需求提升。
投資建議：
建議關(guān)注：聯(lián)瑞新材（國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電子級(jí)硅微粉企業(yè)，產(chǎn)品包括Low-α球形二氧化硅、Low Df 超細(xì)球形二氧化硅、Low-α球形氧化鋁等）。
AI填料：下游AI快速發(fā)展，驅(qū)動(dòng)功能填料電子級(jí)高端應(yīng)用
球形硅微粉、球形氧化鋁依托優(yōu)異性能，是半導(dǎo)體電子粉體核心材料。硅微粉，廣泛運(yùn)用于覆銅板、芯片封裝等領(lǐng)域；球形硅微粉由于其高填充性，能夠顯著降低覆銅板和環(huán)氧塑封料的線性膨脹系數(shù)，提升電子產(chǎn)品可靠性。高導(dǎo)熱球形氧化鋁，EMC等熱界面關(guān)鍵填料，憑借較高導(dǎo)熱性等，成為電子封裝、導(dǎo)熱散熱領(lǐng)域主流導(dǎo)熱粉體。
AI大模型迅猛發(fā)展，對(duì)新一代高頻高速、芯片封裝用的上游填料性能提出更高要求。新一代高頻高速覆銅板方面，為保證更低介質(zhì)損耗，超純球形二氧化硅正成為行業(yè)主流選擇；芯片封裝方面，Low-α球硅及l(fā)ow-α球鋁，HBM封裝用環(huán)氧塑封料的主要填料。
高速覆銅板：高階CCL加速滲透，高性能球硅量?jī)r(jià)齊升。
性能提升——AI服務(wù)器更高性能，驅(qū)動(dòng)PCB/CCL及填料升級(jí)。更高的服務(wù)器技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)PCB有著更高的性能要求。高頻高速需要PCB板采用Very Low Loss或Ultra LowLoss等級(jí)覆銅板材料制作，通常要求更低的低介常數(shù)（Dk）和低介質(zhì)損耗因子（Df）。隨著升級(jí)至M7及以上新一代高速覆銅板，對(duì)功能填料指標(biāo)要求也更為嚴(yán)格。
用量增加——PCB板層數(shù)增加，CCL功能填料比例逐年增大。隨著PCIe協(xié)議升級(jí)，所需PCB板層數(shù)明顯增加。從PCIe3.0對(duì)應(yīng)8~12層，逐步增加至PCIe5.0對(duì)應(yīng)16-22層，高性能服務(wù)器對(duì)高速覆銅板的需求不斷擴(kuò)大。下游終端設(shè)備性能升級(jí)，CCL中高性能球形硅微粉填充比例逐年擴(kuò)大至40%以上，帶動(dòng)無(wú)機(jī)功能填料需求快速上升。
價(jià)值量增長(zhǎng)——高階CCL加速滲透，高性能球硅占比逐年擴(kuò)大。高階CCL對(duì)應(yīng)更高單價(jià)的高端球形硅微粉，日本同行業(yè)企業(yè)銷(xiāo)售的高端球形硅微粉售價(jià)普遍每噸在幾萬(wàn)至十幾萬(wàn)元以上。同時(shí)，全球Super Ultra Low Loss等級(jí)高速覆銅板正在加速滲透。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，2021年在覆銅板用硅微粉市場(chǎng)中，高性能球形硅微粉市場(chǎng)規(guī)模占比超過(guò)44%，并預(yù)計(jì)逐年擴(kuò)大。未來(lái)隨著ASIC服務(wù)器+GPU拉動(dòng)，會(huì)進(jìn)一步促進(jìn)PCB價(jià)值量的增長(zhǎng)，并推升CCL以及高端填料的產(chǎn)值。
HBM：Low-α球鋁，HBM封裝關(guān)鍵材料。
AI時(shí)代，Low-α球鋁是HBM封裝中的關(guān)鍵填料。半導(dǎo)體器件制造和封裝材料中存在的鈾(U)、釷(Th) 等雜質(zhì)具有天然放射性，其釋放的α例子是造成芯片發(fā)生軟失效的主要來(lái)源，尤其是HBM這種高度集成芯片，更容易受到α例子的干擾。Low-α射線球形氧化鋁，能夠預(yù)防由α射線引發(fā)的操作故障，通常用做HBM的封裝填料。
HBM市場(chǎng)快速增長(zhǎng)， 推動(dòng)Low-α球鋁需求提升。Low-α球鋁和球硅占GMC重量的80%以上，隨散熱要求越高，Low-α球鋁占比越高。根據(jù)Yole的預(yù)測(cè)，HBM的總市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的27億美元增長(zhǎng)至2029年的377億美元，年復(fù)合增速將達(dá)到38%，2030年有望突破1000億美元，將帶動(dòng)Low-α球鋁需求提升。
投資建議：
建議關(guān)注：聯(lián)瑞新材（國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電子級(jí)硅微粉企業(yè)，產(chǎn)品包括Low-α球形二氧化硅、Low Df 超細(xì)球形二氧化硅、Low-α球形氧化鋁等）。
風(fēng)險(xiǎn)提示：行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇風(fēng)險(xiǎn)；下游終端需求不及預(yù)期，行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)速度大于需求。
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